메모리 반도체 종류에는 작업 데이터를 저장하는 SRAM·DRAM과, 전원을 꺼도 정보를 보관하는 ROM 계열·플래시가 있습니다. SRAM과 DRAM은 대표적인 휘발성 RAM이고, 플래시 메모리는 전원이 없어도 정보를 보관하며 지우고 다시 쓸 수 있는 비휘발성 메모리입니다. 플래시를 SRAM·DRAM과 같은 RAM의 세 번째 종류로 외우면 분류가 꼬입니다.
컴퓨터 사양의 작업용 메모리와 SSD 저장 공간, 반도체 기업의 DRAM·낸드 사업을 구별하려는 분에게 필요한 기초입니다. 용어를 알면 제품의 역할을 구분할 수 있지만, 그것만으로 특정 주식의 실적이나 수익을 판단할 수는 없습니다.
메모리 반도체 종류를 나누는 두 가지 질문
첫째는 전원 차단 후에도 데이터가 남는가입니다. 일반적인 SRAM·DRAM은 전원이 끊기면 데이터가 사라지고, ROM 계열과 플래시는 데이터를 보관합니다. 둘째는 어떻게 기록하고 변경하는가입니다. 읽고 쓰는 방식과 전원 없이 보관하는 성질은 같은 질문이 아닙니다.
RAM은 Random Access Memory, ROM은 Read Only Memory의 약자입니다. RAM이라는 이름의 random access는 특정 위치에 접근하는 방식에 관한 말입니다. ‘RAM이라는 이름이면 모든 기술이 반드시 휘발성’이라는 일반 법칙으로 확장하기보다, 여기서는 흔히 접하는 SRAM과 DRAM의 특성을 구별해 보세요.
한국은행의 2023년 1월 18일 반도체 교육 자막도 RAM의 작업 공간과 전원 없이 정보를 보관하는 메모리를 나누고, 플래시는 수정 가능한 형태라는 점을 설명합니다.
| 구분 | 정보 유지 | 핵심 특징 | 대표 용도 |
|---|---|---|---|
| SRAM·S램 | 전원이 필요 | DRAM과 같은 주기적 리프레시가 필요하지 않음 | 빠른 접근이 필요한 작은 작업 공간 |
| DRAM·D램 | 전원과 주기적 리프레시 필요 | 셀의 전하를 주기적으로 보충 | 컴퓨터의 주기억장치 |
| Mask ROM | 전원이 꺼져도 보관 | 제조 과정에서 내용 결정, 사용자가 다시 쓰지 못함 | 고정된 내용 저장 |
| 플래시 | 전원이 꺼져도 보관 | 전기적으로 지우고 다시 기록 가능 | SSD·USB 등 저장장치 |
S램과 D램은 리프레시가 다릅니다
SRAM은 Static RAM입니다. 정상적으로 전원이 공급되는 동안 데이터를 유지하므로 DRAM처럼 저장 전하를 주기적으로 되살리는 리프레시가 필요하지 않습니다. 그렇다고 전원을 꺼도 데이터가 남는다는 뜻은 아닙니다. 셀 구조가 복잡해 같은 면적에 대용량을 넣는 데 제약이 있습니다. 삼성반도체 SRAM 설명에서 이 차이를 확인할 수 있습니다.
DRAM은 Dynamic RAM입니다. 커패시터에 담긴 전하가 줄어들기 때문에 전원이 켜져 있어도 주기적인 리프레시가 필요합니다. ‘일정 시간이 지나면 없어지는 메모리’라는 설명만 보고, 컴퓨터에서 사용 중인 정보가 그냥 방치된다고 생각하면 안 됩니다. 실제 장치는 데이터를 유지하도록 리프레시를 수행합니다. 삼성반도체 DRAM 설명은 셀과 리프레시 원리를 함께 소개합니다.
빠른 작은 작업 공간과 큰 주기억장치는 요구 조건이 다릅니다. 이름만 보고 어느 쪽이 모든 용도에서 우월하다고 판단하거나, 한 제품을 다른 제품으로 바로 교체할 수 있다고 생각하지 마세요.
ROM이면 내용을 전혀 바꿀 수 없나요?
종류에 따라 다릅니다. Mask ROM은 제조 과정에서 내용을 정하고, PROM은 사용자가 한 번 기록하는 방식입니다. EPROM은 지운 뒤 다시 기록할 수 있습니다. 따라서 ROM 계열을 모두 ‘어떤 방법으로도 수정 불가’라고 설명하면 정확하지 않습니다.
삼성반도체 ROM 설명도 처음의 읽기 전용 설명에 이어 Mask ROM·PROM·EPROM·플래시를 기록·삭제 방식별로 구분합니다. 실제 부품의 기록 방법과 허용 조건은 해당 제품의 자료를 봐야 합니다.
플래시 메모리는 RAM과 ROM의 중간인가요?
‘전원 없이 보관하면서 다시 쓸 수 있는 비휘발성 메모리’라고 이해하는 편이 분명합니다. SRAM·DRAM의 작업용 저장과 플래시의 장기 보관 역할을 나누면 혼동을 줄일 수 있습니다. 삼성전자의 2011년 5월 12일 낸드플래시 발표에서도 전원을 껐을 때의 데이터 보관과 저장·삭제 기능을 설명합니다.
메모리 칩과 완성된 저장장치도 구별하세요. SSD는 낸드 칩 이름 자체가 아니라 컨트롤러와 관리 기능 등을 포함한 저장장치입니다. 파일을 보관할 SSD 용량과 프로그램을 실행할 작업 메모리는 서로 대신하는 숫자가 아닙니다.
SLC·MLC·TLC는 무엇이 다른가요?
낸드의 한 셀에 담는 비트 수가 다릅니다. SLC는 1비트, 통상 2비트 방식으로 말하는 MLC는 2비트, TLC는 3비트입니다. 1비트는 0과 1의 두 상태, 2비트는 네 상태, 3비트는 여덟 상태를 구별합니다. 셀에 들어가는 비트가 늘면 같은 데이터를 담는 데 필요한 셀 수를 줄일 수 있지만, 이것을 완제품의 면적·가격·속도가 같은 비율로 변한다는 뜻으로 읽으면 안 됩니다.
삼성반도체의 낸드 데이터 저장 방식 설명은 64비트를 예로 SLC 64셀, MLC 32셀, TLC 22셀을 비교합니다. 마지막 셀에 빈 비트가 생길 수 있어 나눗셈 결과를 올림합니다.
같은 데이터에 필요한 셀 수 계산
가정한 데이터 바이트 수와 셀당 비트 수를 선택하세요. 기본값 8바이트는 64비트를 설명하기 위한 예시입니다.
1바이트=8비트, 최소 셀 수=올림(바이트×8÷셀당 비트), 셀의 상태 수=2의 셀당 비트 수 제곱입니다. 바이트는 0~1,000,000,000,000,000 정수만 입력하세요. 쉼표·소수·음수는 받지 않습니다. 마지막 셀의 남는 공간은 위 산식의 나머지 공간이며, 기기의 실제 여유 용량이 아닙니다.
오류 정정용 비트, 예비 블록, 불량 블록, 컨트롤러와 파일시스템을 제외한 개념 계산입니다. 실제 SSD의 물리 셀 수·사용 가능 용량·제조 원가·수명·속도·수익을 산정하지 않습니다.
주식 공부에서는 제품 이름과 매출 범위를 구별하세요
메모리 기술의 종류를 이해한 다음에는 회사가 칩을 만드는지, 소재·장비를 공급하는지부터 구별해야 합니다. 특정 제품 성장률과 기업 전체 매출 성장률은 다릅니다. 관심 사업이 전체에서 차지하는 비중과 다른 사업 변화를 함께 계산해 보세요.
이 계산 방법은 2026년 켐트로닉스 반도체 부문과 회사 전체 매출 비교에서 확인할 수 있습니다. 소재 등을 포함한 해당 회사의 공시 범위를 읽는 별도 사례이며, DRAM·낸드 시장 전망이나 메모리 제조사의 실적 예측을 대신하지 않습니다.
반도체 부문이 커지면 회사 전체도 같은 비율로 커질까요?사업 비중과 다른 사업 변화를 함께 보는 2026년 공시 사례를 확인하세요. →자주 묻는 질문
S램은 전원을 꺼도 남나요?
아닙니다. 일반적인 SRAM은 휘발성입니다. 리프레시가 필요하지 않다는 말과 전원 없이 데이터를 보관한다는 말은 다릅니다.
DRAM을 쓰면 시간이 지나며 파일이 없어지나요?
작업 메모리와 파일 저장장치를 구별해야 합니다. DRAM은 사용 중 리프레시로 정보를 유지하며, 저장한 파일의 보관은 SSD 같은 별도 장치의 역할입니다. 전원을 끄기 전 작업 결과를 저장하는 이유이기도 합니다.
TLC면 SSD 성능을 바로 알 수 있나요?
아닙니다. 셀당 비트 수는 한 가지 특성입니다. 컨트롤러·인터페이스·관리 방식·작업 조건과 제품 보증을 함께 확인해야 합니다. 필요한 셀 수의 산술 비교를 실제 성능 배수로 바꾸지 마세요.
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